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DMP3130L
1.6
12
10
1.2
8
0.8
6
4
0.4
2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
8
1,000
C iss
6
4
100
C rss
C oss
2
10
0
5 10 15 20 25
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
30
0
0
5 10 15
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
20
100
10
1
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10 μs
0.1 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = -8V
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
Single Pulse
0.01 DUT on 1 * MRP Board
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
100
DMP3130L
Document number: DS31524 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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